（h、白鹤i）静脉注射TCZ-PNPs后RA模型足的B超图像。

通讯作者简介程纲，滩电男，滩电1978年生，博士，教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者，河南省中原千人科技创新领军人才，河南省高校创新团队带头人，河南省科技创新杰出青年，河南省学术技术带头人。站送（e）是器件经过SIG调控前后的输出特性曲线。

利用第一性原理计算可知：出创O2-的LUMO能级降低至石墨烯的费米能级以下0.85eV，从而克服了最初的吸附势垒。因此，用特开发一种简单而有效的方式来实现O2在石墨烯表面的化学吸附，进而实现大范围调控石墨烯的费米能级是一个具有挑战性的课题。在本文中，高压基于摩擦电微等离子的表面离子栅技术，高压改变了O2分子在石墨烯表面的吸附路径，从而实现O2在石墨烯表面的化学吸附，报道了使用O2-作为可逆浮动离子门的石墨烯晶体管。

技术（f）器件经过SIG调控前后及加热恢复的石墨烯晶体管的移特性曲线。白鹤文章链接：https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105229图文导读图1（a）基于摩擦微等离子体的SIG调控单层石墨烯器件的示意图。

滩电使用表面吸附物产生的浮栅电压调控石墨烯载流子传输特性是开发新型场效应晶体管的重要策略。

站送（b）解吸速率（以对数标度）与温度的倒数示意图。出创（d）BHJ-2和BHJ-2-RC薄膜的面外和面内GIWAXS轮廓。

其中，用特CsPbIBr2具有出色的热稳定性，可以防止钙钛矿在BHJ薄膜沉积过程中降解。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，高压投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip.。

同时，技术CsPbIBr2具有2.1eV的禁带、无需高温退火等优势。（c）裸PBDB-T、白鹤裸BT2b和BHJ-2-RC薄膜的表面电势（SP）。